Программное обеспечение, Web технологии и Интернет
  •  Email RSS
  • RSS
  • Facebook
  • Twitter

ИГРЫ С BIOS

Можно ли неудачными настройками BIOS Setup замедлить компьютер чуть ли не вдвое или вовсе «пожечь железо»? Говорят, что можно. Но в таком случае, какой же величины положительный эффект можно ждать от удачных настроек? Даже представить трудно…

На самом деле времена, когда, поигравшись с таймингами памяти (основной предмет тонкой подстройки), можно было загубить материнскую плату и саму память, уже в далеком прошлом. Да и тогда (а речь идет о середине 90-х, когда “властвовали” 486-е ЦП, SIMM-модули памяти и материнские платы с гарантией на “проверку до вечера’’) статистику отказов пополняли в основном платы далеко не брэндов ого происхождения. Так что это бо-о-льшой вопрос, были ли тому виной махинации с BIOS или просто негодное качество компонентов.

Владельцам же современных плат от ASUS, ABIT, Gigabyte, ЕРоХ etc. бояться и вовсе нечего. В особо тяжелых случаях, перемудрив с настройками и основательно подвесив компьютер, придется взяться за известную перемычку на материнской плате рядом с батарейкой — но и только.

ДЕЛО ИНТИМНОЕ

Насколько сильно компьютер будет подхлестнут после оптимизации BIOS Setup — вопрос сугубо индивидуальный. Платы с AWARD BIOS обычно поддерживают больше тонких настроек, нежели AMI BIOS. Свое влияние оказывают также модель чипсета и политика сборщика платы. Intel, к примеру, борясь с разгонщиками, сводит в своих материнских платах перечень настроек к минимуму; а платы той же ABIT на VIA-чипсетах — пример полностью противоположного свойства.

От памяти тоже многое зависит: у фирменной РС133 SDRAM (от Micron, Kingston и Transcend) запас на разгон и тонкую подстройку, естественно, больше, нежели у памяти безымянной. А если при покупке к тому же озаботиться параметром CAS Latency (CL) и выбрать память с CL=2, успех почти гарантирован. Для DDR DRAM этот параметр всегда выносится в маркировку (в последнее время и для SDRAM тоже). Выжать все из технологии SDRAM позволяет память РС150-РС166, иначе как для разгона ее и покупать не стоит, — штатных режимов, где бы был востребован ее потенциал, нет.

Кроме прочего, действует такое правило: чем меньше установлено модулей памяти и чем меньше на каждом из них чипов (с объемом это не связано — более современные технологии позволяют упаковать больший объем в меньшем количестве микросхем), тем легче такая память гонится.

На практике эффект от ручного «тюнинга” редко превышает 10% , если оценивать производительность в жадных до ресурсов задачах и сравнивать ее с той, что была раньше, — с загруженными по умолчанию (или Optimized Defaults, не суть важно) параметрами BIOS Setup. Само по себе — не так и мало.

Но логика оптимизации заключается не только в получении любыми путями дополнительных fps, сам процесс тоже кое-чего стоит и не лишен познавательной ценности. Как и при любом разгоне, успех заведомо не гарантирован, а подобрать наилучшие параметры часто удается только экспериментально и собственноручно, разобравшись с тем, что означает та или иная характеристика.

Итак, основное место действия — раздел Advanced Chipset Features Setup. Ускорять же будем работу оперативной памяти, всяческих шин и отдельных компонентов материнской платы. Количество нижеупомянутых настроек, конечно, заведомо больше, нежели можно встретить на какой-либо отдельно взятой плате. В то же время не исключено, что в вашем BlOS’e встретятся-таки настройки, здесь не затронутые. Даже не буду вспоминать набившую оскомину цитату из Пруткова по поводу объятия необъятного…

ПАМЯТЬ

DRAM Clock

Исходно память работает на частоте системной шины — это 100 или 133 МГц. Для РС133 SDRAM или РС2100 DDR DRAM вторая частота гарантированно рабочая. Поэтому, если процессор рассчитан только на 100-мегагерцовую шину, память можно “отвязать” от шинной частоты и накинуть ей в пункте DRAM Clock собственные 33 МГц (Host CLK+33).

На самом деле прибавляются не жесткие 33 МГц, а частота РСI-шины (1/3 от общесистемной). И если системная шина уже разогнана до какой-либо нестандартной частоты (скажем, 110 МГц), то прибавка в DRAM Clock окажется куда весомее: 110+110/3 = 146 МГц! Не всякая память такое потянет.

Auto (SDRAM) Configuration

Потянет или нет — зависит от задержек (таймингов). Для SDRAM есть примерная зависимость максимальной частоты от заявленных в маркировке наносекунд: 10 нс соответствуют РС100, 8 нс — не самым лучшим вариантам РС133, а память с 7 нс — перекрывает требования стандарта РС133 с запасом и держит до 143 МГц. Детально задержки на разных этапах обращения к памяти исчисляются в тактах системной шины и должны храниться в специальной микросхеме (SPD) на каждом модуле. Заставить BIOS автоматически их считать можно, выставив в Auto (SDRAM) Configuration значение «by SPD”. Такая настройка обеспечивает максимум стабильности, но не скорости, поэтому предпочтительно будет сбросить автоконфигурацию в “Manual» и вручную выставить следующие три параметра (все они варьируются в пределах 2-3 тактов):

DRAM CAS Latency (CL)

Этот параметр задает основополагающую задержку от момента обращения к памяти до фактического появления запрошенных данных на ее выходах. Обычное значение — “3″, и только очень хорошая память выдерживает CL=2. Иногда этим параметром ограничиваются настройки таймингов памяти в BIOS (его синоним — DRAM Cycle Length). Свести задержки к минимуму может помешать не только медлительность самой памяти, но и проблемы чипсета (в частности, большинство материнских плат на VIA КТ266 неустойчиво работают даже с сертифицированными на CL=2 DDR-модулями).

DRAM RAS-to-CAS Delay и DRAM RAS Precharge Time

DRAM RAS-to-CAS Delay гораздо чаще удается переставить в “двойку”, нежели предыдущий параметр, что и целесообразно сделать. То же самое касается и DRAM RAS Precharge Time. Оба параметра имеют дело со столбцами (или, как часто говорят, банками, или страница ми, памяти). Логически оперативная память организуется как таблица: RAS и CAS — соответственно столбцы и строки в ней. При обращении первым активируется столбец, а затем через определенный промежуток времени — строка.

DRAM Bank Interleave

Еще больше подсократить связанные с открытием банков задержки можно, оставляя несколько банков открытыми: DRAM Bank Interleave определяет их максимальное число, а значение “4 Page» здесь еще никому не повредило.

SDRAM PH Limit и SDRAM Idle Cycle Limit

Открытые страницы приходится закрывать время от времени для того, чтобы закрепить их содержимое, так как динамическая память на конденсаторах не умеет самостоятельно держать заряд. Как правило, стратегию закрытия BIOS определяет самостоятельно, но две тонкие настройки встречаются, а именно: SDRAM PH Limit задает количество попаданий на страницу, после которых она принудительно закрывается, a SDRAM Idle Cycle Limit — количество пустых циклов, после которых обращение к памяти считается законченным и страницы закрываются за ненадобностью. Большее значение в обоих случаях может чуть повысить скорость.

Bank 0/1 (2/3 и т.д.) DRAM Timing

А вот такая на вид логичная и понятная группа настроек, как Bank 0/1 (2/3 и т.д.) DRAM Timing, позволяющая для каждого DIMM’а оценить его таланты в диапазоне от “Slow” до “Turbo”, даже в турборежиме влияет на производительность лишь самую малость. Впрочем, польза от этих строк все же есть: для случая, когда старый (РС100 или безымянный) DIMM надо заставить работать в соседстве с современными модулями на частотах под 133 МГц, бывает очень удобно выставить персонально для него “Slow», на остальных же торможение распространяться не будет.

МА Wait State

Это оставшаяся со старых времен настройка, добавляющая лишний такт задержки при чтении памяти (если только не выставить против нее хорошее слово “Fast», что и нужно, конечно, сделать).

Fast R-W Turn Around (Read Around Write)

Объем читаемых из оперативной памяти данных в интересующем нас с точки зрения повышения производительности режиме (исполнение уже загруженной программы) заметно превосходит встречный поток записываемых байтов. А поскольку одновременно записывать и читать контроллер памяти не умеет, ему приходится тратить время на переключение между двумя режимами ради каждого, даже единичного, байта. Проблему можно устранить введением буфера, где записываемый поток накапливается и затем разом сбрасывается в память. Именно эту опцию и активизирует данная строка.

SDRAM Speculative Read, SDRAM R/W Leadoff Timing, 0SDRAM Cycle Time Tras/Trc

Эти и прочие относительно редкие параметры расписывать нет смысла. Обычно в них позволяется либо сменить “Slow” на “Fast» (больше для самоудовлетворения, нежели ради реального эффекта), либо снизить задержки (экспериментально — до универсального критерия “пока-не-заглючит”). “Спекулятивные» параметры предполагают, что любое действие (в том числе чтение из памяти) происходит не вдруг, его надо готовить и совсем не обязательно начинать это делать в момент, когда уже точно определено, по какому адресу требуется обращаться. Можно начинать раньше, что и слегка подстегнет компьютер.

Подписаться на рассылку RSS !   Подписаться на рассылку RSS по Email !

Файлообменник без регистрации

Несведущие люди могут думать о том, что Интернет — это [...]

Как заработать деньги на форуме?

Сейчас можно легко заработать на форуме. Этот метод заработка доступен [...]

"Киевстар" рассказал об успехах

  Украинскому оператору связи «Киевстар» по итогам II квартала удалось [...]

Twitter снова купил рекламный стартап

Руководство Twitter завершило сделку по приобретению рекламного стартапа, который носит [...]

Системы электронных платежей

Существует очень большое количество сервисов, которые помогают перевести средства через [...]

Яндекс прощается с рейтингом блогов

Поиск по блогам Яндекса прекратил поддержание рейтинга блогеров и блогхостингов, [...]

Бразильский интернет станет безопаснее

Парламент Бразилии внес законопроект о безопасности интернета, работу над которым [...]

Баннерная реклама в Интернете

В интернете существует множество видов рекламы, одним из этих видов [...]

Партизан http://gazeta-sp.ru/ славянский